반도체 테스트를 진행하다 보면 수 많은 유형의 Test 불량이슈를 마주하게 될 것입니다. 그 중에서도 자주 발생하는 유형과 그에 대한 해결책을 적음으로써 하나의 메뉴얼이 되도록 돕고자 합니다.
크게 3가지 유형의 issue로 분류를 해보겠습니다.
하드웨어(HW) 이슈 (ex. 프로브카드 위의 회로 소자들 / 전압&전류&저항같은 전기적 parameter에 대한 문제 발생)
소프트웨어(SW) 이슈 (ex. 테스트 프로그램 / Time항목)
설비(Machine) 이슈 (ex. 프로브카드 솔더링 문제 / 테스트 리소스 Fail / 그 외 설비 상의 문제들)
빨간색 화살표의 의미는 이 3가지 이슈는 단독이 아니라 함께 발생할 수도 있음을 의미합니다.
그럼 제일 먼저 HW이슈를 보겠습니다. sw랑 machine쪽은 양이 적어서 금방하지만 hw가 할게 좀 많습니다.
case 1. 전압,전류,저항 값을 측정한 결과값이 0 혹은 0에 가까운 값으로 기록되는 경우
- 이거는 특정 릴레이소자가 전혀 동작을 안하는 경우거나 테스트리소스에서 Cbit의 문제일 경우가 큽니다. 소스코드에서는 릴레이소자를 short시키는 명령을 내렸는데 open된 상태거든요?
그래서 DVM으로 해당 릴레이소자의 전압이랑 Cbit을 체크해서 두 값을 비교해봅니다. open된 상태라면 두 값에 차이가 없는 상태입니다. 그러면 이제 릴레이소자를 바꿔야하는지, 아니면 Dignostic을 이용해서 테스트리소스 Cbit파트를 검사해본다든지 진행합니다.
case 2. Leakage Current 이슈
- 보통 누설전류는 수백 나노암페어 단위가 나와야 정상입니다. 근데 예상값보다 높은 경우가 있습니다.
보통 이런 이슈의 경우는 '엥? 좆된거 아님? BV때려박았는데 chip 망가진거 아님??' 겠지만. Leakage Current 아이템이 지속적으로 Fail이 뜬다면 그건 HW의 문제일 가능성을 고려해봐야 합니다.
스키매틱을 봤을 때, Leakage Current를 측정하기 위해 BV를 인가하는 PIN들이 있을겁니다. 그 PIN과 이어진 릴레이소자들을 살펴봐야 하는데요. 누설전류 값이 증가했다는 것은 의도치 않은 릴레이소자의 short가 일어났을겁니다. 그를 통해 GND로 흐른 경우인데요. 이를 위해서는 테스트 소스코드에서 Leakage Current를 측정하는 코드 줄에다 BreakPoint를 걸고 DVM으로 short체크를 해봐야 합니다. 만약 소스코드에 적힌 내용과 다르게 동작하는 릴레이가 있다면 그게 원인입니다.
case 3. UVLO 이슈
- UVLO 이슈는 크게 3가지로 나뉩니다. UVLO_Positive / UVLO_Negative / Hysteresis
이 경우는 꽤 다양한 방면에서 체크를 해봐야합니다. 일단 UVLO를 측정하기 위해 세팅해야하는 조건들이 있습니다.
그게 제대로 인가가 되어있는지부터 체크해보는게 좋습니다. 일단 UVLO같은 경우는 앞에서 설명한 포스팅처럼
Output파형을 관찰하기 위해 Input 전압에 펄스파를 인가하고 전원PIN단자를 0V에서부터 천천히 올리는 식으로 전압을 줍니다.
1) 펄스파 문제 : 만약 0V to 5V로 peak to peak 펄스를 준다고 명령을 내렸다. 그러면 DVM 상의 찍었을때 2.5V정도의 전압이 나오면 정상입니다. 근데 그렇지가 않다. 그럼 Input에 문제가 있다는 겁니다. 릴레이소자거나 테스트리소스의 문제죠.
2) 전원PIN 문제 : 0V에서 천천히 증가시키라고 명령을 내렸는데 프로브카드에서 이걸 수행하지 않는다. 그럼 이건 테스트리소스의 문제일 수도 있고, 전원PIN과 연결된 릴레이소자의 문제일 수도 있습니다.
대략적으로 이렇게 원인이 이럴 것이다! 라고 제시를 했는데요. 프로브 탐침 끝에 묻은 이물질때문에 발생한것도 있고, 접촉 불량으로 인한 문제일 수도 있습니다. 근데 보통 이런 유형에 의한 Fail은 Fail이 듬성듬성 나옵니다. 만약 그렇지않고 Fail이 쭉 이어져서 발생한다면 릴레이소자 & 테스트리소스 쪽에 초점을 둬보는게 좋습니다.
설명하려면 끝도 없이 해야되서 이건 여러번 포스팅 하는걸로 하겠습니다. 추후에 (2)로 작성 이어서 하겠습니다.
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